Visokošolski učitelji: Smole Franc
Sodelavci: Lipovšek Benjamin
Opis predmeta
Pogoji za vključitev v delo oz. za opravljanje študijskih obveznosti:
- vpis v 2. letnik univerzitetnega študija
- opravljene laboratorijske vaje so pogoj za pristop h končnemu izpitu
Vsebina:
Vrste in lastnosti polprevodnikov. Električni toki v polprevodniku. Generacije in rekombinacije. Polprevodniška dioda s pn-spojem: idealna in realna tokovno-napetostna karakteristika, model diode pri krmiljenju z majhnimi signali, prebojna napetost, vzbujanje diode z velikimi signali, stikalne lastnosti diode. Druge diodne zgradbe: tunelska dioda, dioda kovina-polprevodnik (Schottky-jeva dioda), heterospojna dioda. Primeri uporabe diod. Bipolarni tranzistor: tokovno-napetostne karakteristike, modeli bipolarnega tranzistorja pri majhnih in velikih signalih, visokofrekvenčne lastnosti tranzistorja, tranzistor kot stikalo, primeri uporabe bipolarnih tranzistorjev. Spojni FET in MOST, tokovno-napetostne karakteristike, modeli unipolarnih tranzistorjev, primeri uporabe unipolarnih tranzistorjev, CMOS-invertor. Močnostni polprevodniški elementi: pnpn-dioda, diak, tiristor, triak, IGBT. Fotonski polprevodniški elementi: absorpcija svetlobe, svetleče diode, laserske diode, fotodetektorji: fotoupor, fotodioda, pin-fotodioda, plazovna fotodioda, fototranzistor, sončne celice. Nanoelektronika in nanotehnologije: osnovne definicije, trendi na področju nanoznanosti, nanoprevodniki, transportne lastnosti polprevodniških nanostruktur, nanoelementi.
Cilji in kompetence:
- Usvojiti zgradbe, delovanje in lastnosti polprevodniških elektronskih elementov ter na primeru osnovnih povezav elementov prikazati glavne namene uporabe.
- Poznavanje polprevodniških elementov je pomembno za razumevanje analogne in digitalne elektronike, močnostne elektronike, optoelektronike, fotonike in razvijajoče se nanoelektronike.
Predvideni študijski rezultati:
- Študent bo poznal in razumel zgradbo in delovanje polprevodniških elektronskih elementov, osnovne povezave elementov in glavne namene uporabe.
Metode poučevanja in učenja:
- predavanja, avditorne vaje, laboratorijske vaje
Stran predmeta
Gradiva
- Franc Smole, Polprevodniška elektronika, Založba FE in FRI, Ljubljana, 2013.
- Smole F., Topič M., Elementi polprevodniške elektronike, Založba FE in FRI, Ljubljana, 2014.
- Streetman B. G., Solid State Electronic Devices, Prentice-Hall International, Englewood
- Cliffs, 1999.
- Donald A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices, University of New Mexico,
- McGraw-Hill, 2011.
- S. M. Sze, Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, Inc., 2006.
- S. O. Kasap, Optoelectronics and Photonics, Prentice Hall, Inc., 2013.
- William A. Goddard, Donald W. Brenner, Sergey Edward Lyshevski, Gerald J. Iafrate,
- Nanoscience, Engineering, and Technology, CRC Press LLC, 2012.
- George W. Hanson, Fundamentals of Nanoelectronics, Pearson Prentice Hall, 2008.